RTP快速退火爐是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備，其核心特點是快速升降溫和jingque溫控，適用于短時高溫工藝。

RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：

1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。

2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。

3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。

RTP快速退火爐產(chǎn)品特點：

1. 結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省空間；

2. 快速升降溫；

3. 精準(zhǔn)溫控與均勻性；

4.氣氛控制靈活；

RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	RTP快速退火爐【柜式】
產(chǎn)品型號	CY-RTP1000-T12-H
腔體尺寸	12英寸
基片尺寸	≤12英寸
升溫速率	B型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≤200℃/S,供電要求:AC380V/50Hz/60Hz，功率50KW
降溫速率	10°C－50°C /s
控溫模式	可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫
控溫精度	±1℃
工作溫度	≤1000℃
測溫位置	測溫點置于樣品處
密封法蘭	水冷式
工作真空	6.7×10-5Pa～105Pa均可
可通氣氛	可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體；如需計量需選配相應(yīng)的MFC，需要額外計價。
	氣體質(zhì)量流量計CY-S48
真空測量	標(biāo)準(zhǔn)配置：復(fù)合真空計，量程10-5Pa～105Pa
真空系統(tǒng)	標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD4+600L/S分子泵組。
	真空泵CY-4C
供電要求	要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC380V/50Hz/60Hz
水冷機(jī)組	水箱容量40L，zui大揚程44m
整機(jī)尺寸	620mm*650mm*870mm
包裝尺寸	780mm*950mm*1000mm
包裝重量	230KG
隨機(jī)配件	1、說明書1本
	2、隨機(jī)配件1套
	3、配件清單1份

基片類型:

? Silicon wafers硅片

? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片

? Silicon carbide wafers碳化硅基片

? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

? Glass substrates玻璃基片

? Metals金屬

? Polymers聚合物

? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座